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1.功率單元是利用電力電子器件進(jìn)行整流、濾波和逆變的高壓逆變器部件，是高壓逆變器主電路的主要部分。每個(gè)功率單元相當(dāng)于一個(gè)交流-DC-交流電壓型單相低壓變頻器。
二、主要?jiǎng)恿ρb置
1.整流橋
1.1整流橋的封裝形式
它的功能是整流(將交流電轉(zhuǎn)換成DC)。我公司使用的整流橋內(nèi)部封裝有以下兩種形式。圖1所示封裝中有6個(gè)整流二極管，用于功率單元的三相輸入端。封裝內(nèi)有兩個(gè)整流二極管，如圖2所示，用于電源單元的三相輸入端和旁路電路。
1.2整流橋的工作原理
在我公司的產(chǎn)品上，整流二極管的工作方式是全波無(wú)控整流器。
1)單相全橋無(wú)控整流
根據(jù)IEC971 (1989)，單相橋式無(wú)控整流電路屬于B2U。工作原理如圖3所示：
2)三相全橋無(wú)控整流
三相全橋無(wú)控整流電路，根據(jù)IEC971 (1989)，半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的指定代碼屬于B6U。工作原理如圖4所示：
1.3我公司使用的整流橋的一般參數(shù)
品牌：塞米克朗、歐派克；
等級(jí)：1400伏、1800伏；
整流橋的型號(hào)描述：
例如，SKD62/18是Semikron公司額定電流62A、額定電壓1800V的6個(gè)整流二極管封裝的整流橋，SKKD260/14是Semikron公司額定電流260A、額定電壓1400V的2個(gè)整流二極管封裝的整流橋。
2.電解電容
這里所說(shuō)的電解電容器是鋁電解電容器，其功能是對(duì)整流橋整流后的DC濾波，同時(shí)儲(chǔ)能。
目前，我公司使用的電解電容器品牌有：
日本、英國(guó)、CDE、EPCOS。
使用的電壓等級(jí)為：400Vdc。
使用的容量為3300uF、6800uF和10000uF。
3、IGBT
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，絕緣柵雙極型晶體管，是一種結(jié)合了BJT(高功率晶體管)和MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)優(yōu)點(diǎn)的復(fù)合器件。它不僅具有MOS器件工作速度快、驅(qū)動(dòng)功率低的優(yōu)點(diǎn)，還具有大功率晶體管的大電流容量和低導(dǎo)通電壓的優(yōu)點(diǎn)。它是目前最具優(yōu)勢(shì)的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)。
IGBT是動(dòng)力裝置中的重要設(shè)備，其功能是逆變器(將DC轉(zhuǎn)換為交流電)。目前我公司使用的IGBT多為“雙晶體管”(內(nèi)部封裝兩組IGBT芯片)，內(nèi)部封裝示意圖如圖5所示：
目前使用的IGBT品牌有：歐派、賽米克朗；
使用的IGBT電壓等級(jí)為：1200伏和1700伏；
例如：BSM100GB170DLC、FF400R12KE3
4.教員公用室
可控硅是可控硅的簡(jiǎn)稱。一個(gè)可控整流電子元件在外部控制信號(hào)的作用下可以從關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無(wú)法將其關(guān)斷，因此只能通過(guò)切除負(fù)載或降低兩端電壓的方式將其關(guān)斷。
在我公司的產(chǎn)品中，充電電路和旁路電路都采用了可控硅，都起到了“電子開(kāi)關(guān)”的作用。我公司使用的可控硅內(nèi)部封裝形式如圖6所示：
目前使用的SCR品牌有：Semikron；
所用可控硅的電壓等級(jí)為：1400伏、1800伏；
例如：SKKH57/18E、SKKT210/14E
三 功率單元發(fā)展歷程
在動(dòng)力單元方面已經(jīng)推出了四代產(chǎn)品，而對(duì)于這四代產(chǎn)品 品對(duì)比如表1：表1 四代功率單元對(duì)比表
四 功率單元主回路
高壓大功率變頻器功率單元主回路由整流、濾波、逆變?nèi)糠蛛娐方M成，如圖7所示：
由于我公司技術(shù)不斷進(jìn)步，功率單元上的充電電路已逐步被取消，取而代之的是變頻器集總充電技術(shù)。
五 功率單元旁通技術(shù)
1、可控硅旁通技術(shù)
該技術(shù)就是利用可控硅進(jìn)行旁通控制，即采用圖8所示的電路實(shí)現(xiàn)圖7中的“電子開(kāi)關(guān)”功能。
該技術(shù)存在以下缺點(diǎn)：
1）容易受干擾（門極導(dǎo)通閾值低<2V）；
2）不易關(guān)斷，應(yīng)用不靈活；
3）體積較大，不利于小型化；
4）旁通時(shí)產(chǎn)生噪音；
5）器件多，可靠性低；
6）成本高。
2、主回路IGBT旁通技術(shù)
該技術(shù)為我公司專利技術(shù)。它是利用IGBT進(jìn)行旁通控制，即采用主回路上的4只IGBT（圖9）實(shí)現(xiàn)圖7中的“電子開(kāi)關(guān)”功能。
主回路IGBT旁通及自恢復(fù)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：
1）無(wú)額外成本開(kāi)支；主回路必不可少；
2）開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)可靠，靈活；
3）在故障消失后，可以自動(dòng)回復(fù)到正常運(yùn)行狀態(tài)；
4）旁通時(shí)不產(chǎn)生噪音污染；
5）器件少，可靠性高。
六 功率單元型號(hào)定義
1.第三代功率單元型號(hào)定義
1）普通型型號(hào)定義
型號(hào)：如PC75A、PC100B、PC150A、PC200C、PC300A、PC400G等。
例如：PC200B表示配置IGBT 額定電流為200A、配置變頻器額定容量1000KVA的功率單元。
2）改進(jìn)型型號(hào)定義
型號(hào)：如PC75N、PC100N、PC150N、PC200N、PC300N、PC400N等。
例如：PC200N表示配置IGBT額定電流為200A的改進(jìn)型功率單元。
2.第四代功率單元型號(hào)定義
型號(hào)：如I-6B、I-10C、IV-6A等。
七 功率單元控制驅(qū)動(dòng)板件
功率單元控制驅(qū)動(dòng)板件發(fā)展經(jīng)歷
功率單元控制驅(qū)動(dòng)板件隨著功率單元的發(fā)展而發(fā)展，大概經(jīng)歷3個(gè)階段，如下：
第一階段：共5塊板件，一次電源板、二次電源板、光通信板、檢測(cè)板、驅(qū)動(dòng)板；
第二階段：共4塊板件，電源板、控制板、驅(qū)動(dòng)板、旁通板；
第三階段：共2塊板件，二合一控制板、驅(qū)動(dòng)板
2.二合一控制板
二合一控制板是在第三代功率單元多年應(yīng)用的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)大量的改進(jìn)設(shè)計(jì)，將電源板和控制板合二為一的板件。
板件作用：
a. 接收主控系統(tǒng)信號(hào)，給驅(qū)動(dòng)板提供控制信號(hào)；
b. 進(jìn)行實(shí)時(shí)故障監(jiān)測(cè)，向主控系統(tǒng)上報(bào)故障信息；
c. 給單元驅(qū)動(dòng)板供電。
板件接口：
a. 光纖接口：與主控系統(tǒng)進(jìn)行連接；
b. 電壓檢測(cè)接口：與單元正負(fù)母線連接；
c. 驅(qū)動(dòng)板信號(hào)（Top1、Top2、/Lock、ERR）接口：與驅(qū)動(dòng)板連接；
d. 15V電源輸出接口：與驅(qū)動(dòng)板連接，為驅(qū)動(dòng)板供電；
e. 缺相檢測(cè)接口：接功率單元整流橋輸入端；
f 過(guò)熱檢測(cè)接口：接溫度檢測(cè)開(kāi)關(guān)；
g. 充電可控硅驅(qū)動(dòng)信號(hào)接口（預(yù)留）：接上電可控硅門極。
3.單元驅(qū)動(dòng)板
板件作用：
接收單元控制板的控制信號(hào)，為單元上的四路
IGBT提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，同時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)故障進(jìn)行監(jiān)測(cè)，上報(bào)
單元控制板。
板件接口：
15V電源輸入接口：接單元控制板；
輸入信號(hào)（Top1、Top2、/Lock） ：接單元控制板；
輸出信號(hào)（ERRout）：接單元控制板；
輸出信號(hào)（TOP1、BOT1、TOP2、BOT2路IGBT驅(qū)動(dòng)信
號(hào)）：分別接TOP1 、BOT1、TOP2、BOT2路IGBT的C、
G、E極。
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